1.5 Características PMOS

O circuito da Figura 1.30 é que foi usado para a caracterização dos transistores NMOS, tanto de \(1\ \mu m\) quanto \(50\ nm\). A diferença para uma e outra tecnologia é o valor das tensões máximas. Para \(1\ \mu m\), temos \(V_{DD}=5\ V\). Para \(50\ nm\), temos \(V_{DD}=1\ V\). O mesmo vale para os limites de \(V_{GS}\).

Leiaute para fabricação de um PMOS.

Figura 1.30: Leiaute para fabricação de um PMOS.

1.5.1 Dependência com \(V_{GS}\), parâmetro \(V_{DS}\), \(L=1\ \mu m\)

Figura 1.31: \(I_{DS}\ \text{vs. }V_{GS}\text{, param.: }V_{DS}.\)